آبل تدخل الرهان بتقنية 2 نانو TSMC الجديدة لزيادة أداء آيفون

آبل تدخل الرهان بتقنية  2 نانو TSMC الجديدة لزيادة أداء آيفون

آبل هي الشركة الأولى التي باتت تملك شرائح مصنعة وفقاً لعملية تقنية TSMC المستقبلية المبنية على 2 نانومتر، وذلك بحسب تقرير جديد من DigiTimes.

وبحسب الأخبار فأن شركة آبل المصنعة لهواتف آيفون هي الشركة الأولى التي تقوم بأستخدام هذه العملية.

 

وبحسب الأخبار ستبدأ TSMC في صنع الشرائح بعملية تصنيع 2 نانو متر في النصف الثاني من سنة 2025.

وأن المصطلحات التي يطلق عليها 3 نانو متر و 2 نانو متر تشير إلى معمارية التصنيع وقواعد التصميم التي يتم أستخدامها من قبل TSMC للرقاقات.

ويمكن للترانزستور الصغير المتصل بهذه التقنية السماح بزيادة المزيد من الترانزستورات في نفس المعالج، مما يجعل سرعة المعالج أعلى والتقليل من أستهلاك الطاقة بشكل واضح.

قامت آبل هذه السنة بأعتماد الشرائح المصنعة بدقة 3 نانو متر لأجهزتها الأيفون والماك.

وقامت الشركة ببناء شريحة A17 Pro في هواتف آيفون 15 برو وأعتمدت شرائح M3 بأجهزة الماك بالأعتماد على شرائح مصنعة بدقة 3 نانو متر، وهذا يعد تحديث بالمقارنة مع شرائح المصنعة بدقة 5 نانو متر السابقة.

مما جعل الأنتقال من الشرائح المصنعة بدقة 5 نانو متر إلى الشرائح المصنعة بدقة 3 نانو متر إلى توفير زيادة في أداء وحدة المعالجة المركزية بنسبة 10%، وزيادة سرعة المحرك العصبي لأجهزة الأيفون، مع تحسينات لأجهزة الماك.

متى ستعتمد آبل الشرائح المصنعة بدقة 2 نانو

وأشارت الشائعات في أن الشرائح المصنعة بدقة 2 نانو متر ستكون متوفرة لأجهزة آيفون 17 برو والتي من المتوقع أصدارها في أخر عام 2025.

تقوم TSMC بتبني صناع جديدين لزيادة صناعة الشرائح الجديدة، وتقوم ببناء مصانع جديدة في حال أحتاجت لزيادة الطاقة الأنتاجية لتوفير الطلبات الكبيرة للرقاقات.

وتقوم TSMC بالتوسع في تصنيع شرائح 2 نانو متر، وتقوم عقدة التصنيع الجديدة على عملية تصنيع معروفة باسم ترانزستورات ذات التأثير الميداني الشاملة GAAFET بالأضافة لصفائح نووية.

توفر هذه التقنية الجديدة سرعات أعلى وأستهلاك طاقة منخفض بالمقارنة مع ترانزستورات FinFET المستخدمة حالياً في الرقاقات.

تقوم TSMC بأنفاق المليارات على هذه التغييرات، و آبل بحاجة إلى تغيير التصميم لتتمكن من أستيعاب التكنولوجيا الجديدة.

تعليقات (0)